MEMS Switches and SiGe Logic for Multi-GHz Loopback Testing

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Body-Biased Complementary Logic Implemented Using AIN Piezoelectric MEMS Switches

This paper reports on the first implementation of low voltage complementary logic (< 1.5 V) by using bodybiased aluminum nitride (AlN) piezoelectric MEMS switches. For the first time, by using opposite body biases the same mechanical switch has been made to operate as both an ntype and p-type (complementary) device. Body-biasing also gives the ability to precisely tune the threshold voltage of ...

متن کامل

High-cycle Life Testing of Rf Mems Switches (preprint)

RF MEMS capacitive switches capable of orderof-magnitude impedance changes have demonstrated operating lifetimes exceeding 100 billion switching cycles without failure. In situ monitoring of switch characteristics demonstrates no significant degradation in performance and quantifies the charging properties of the switch silicon dioxide film. This demonstration leads credence to the mechanical r...

متن کامل

Multi-Port RF MEMS Switches and Switch Matrices

.........................................................................................................iii Acknowledgment ............................................................................................ v Table of

متن کامل

tight frame approximation for multi-frames and super-frames

در این پایان نامه یک مولد برای چند قاب یا ابر قاب تولید شده تحت عمل نمایش یکانی تصویر برای گروه های شمارش پذیر گسسته بررسی خواهد شد. مثال هایی از این قاب ها چند قاب های گابور، ابرقاب های گابور و قاب هایی برای زیرفضاهای انتقال پایاست. نشان می دهیم که مولد چند قاب تنک نرمال شده (ابرقاب) یکتا وجود دارد به طوری که مینیمم فاصله را از ان دارد. همچنین مسایل مشابه برای قاب های دوگان مطرح شده و برخی ...

15 صفحه اول

RF MEMS Switches

An overview of the MEMS technology development and applications is given in this paper. A special attention is paid to the RF MEMS switches. Both series and shunt MEMS switches have been considered. It is also presented a technique for modeling and design of inductively-tuned MEMS shunt switch. Some very important issues for the device maturity e.g. reliability and packaging have been addressed.

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: VLSI Design

سال: 2008

ISSN: 1065-514X,1563-5171

DOI: 10.1155/2008/291686